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SSD M.2 (2280) 1TB Samsung 990 EVO Plus
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Produktnummer:
8806095575674
Produktbeschreibung
Produktinformationen "SSD M.2 (2280) 1TB Samsung 990 EVO Plus"
Die Samsung 990 EVO Plus ist ein internes Solid State-Laufwerk, das für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer robusten Kapazität von 1 TB bietet sie reichlich Speicherplatz für eine Vielzahl von Dateien und Anwendungen. Das Laufwerk nutzt PCI Express 5.0 und bietet interne Datenraten von bis zu 7150 MB/s, was einen schnellen Datenabruf und minimale Ladezeiten ermöglicht. Die V-NAND TLC-Technologie von Samsung verbessert die Leistung und Ausdauer, so dass sie sich sowohl für den täglichen Gebrauch als auch für intensive Aufgaben eignet. Dieses Laufwerk ist so konzipiert, dass es einer Reihe von Umgebungsbedingungen standhält. Es arbeitet effektiv bei Temperaturen von 0°C bis 70°C und widersteht Lagertemperaturen von -40°C bis 85°C. Es bietet TRIM-Unterstützung und einen Auto Garbage Collection Algorithmus, der eine optimale Leistung über einen längeren Zeitraum gewährleistet. Die Sicherheit wird durch die Hardwareverschlüsselung und die Konformität mit TCG Opal Encryption 2.0 priorisiert, wodurch die Daten vor unbefugtem Zugriff geschützt werden.
Maße & Material
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
|---|---|
| Komponente für | PC |
| NVMe | Ja |
| SSD-Formfaktor | M.2 |
| SSD Speicherkapazität | 1 TB |
| Schnittstelle | PCI Express 4.0 |
| Speichertyp | V-NAND TLC |
Datenblatt
Auf einen Blick
- 1 TB Kapazität für reichlich Speicherplatz
- Interne Datenrate von bis zu 7150 MBps für schnelle Leistung
- Langlebiges Design mit einer Temperaturtoleranz von -40°C bis 85°C
- TRIM-Unterstützung und Auto Garbage Collection für verbesserte Langlebigkeit
- Integrierte Hardware-Verschlüsselung für Datensicherheit
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
1 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Breite
22.15 mm
Tiefe
80.15 mm
Höhe
2.38 mm
Gewicht
9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz
7150 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1350000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
850000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1.500.000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
4.3 Watt (Lesen)
4.2 Watt (Schreiben)
60 mW (Standby)
5 mW (Sleep-Modus)
4.2 Watt (Schreiben)
60 mW (Standby)
5 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Gehäusematerial
Nickelbeschichtung
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 600 TBW
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz
Produktsicherheit
Hersteller
Samsung
Verantwortliche Person in der EU
Samsung
Am Kronberger Hang 6, 65824 Schwalbach / Ts., DEU
Angabe nach Artikel 16 der Verordnung (EU) 2023/988 über die allgemeine Produktsicherheit.
Downloads & Dokumente
Lieferumfang
- Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - Solid State Drive
- Software