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SAMSUNG 990 PRO SSD 4TB M.2 NVMe PCIe 4.0 Heatsink
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Produktnummer:
8806094946857
Produktbeschreibung
Produktinformationen "SAMSUNG 990 PRO SSD 4TB M.2 NVMe PCIe 4.0 Heatsink"
Entdecken Sie die Samsung 990 PRO, ein Solid-State-Laufwerk, das mit seiner Kapazität von 4 TB und fortschrittlichen Funktionen, die für Effizienz und Sicherheit entwickelt wurden, den Speicher neu definiert. Entwickelt mit der Samsung V-NAND 3bit MLC-Technologie, bietet diese interne Festplatte außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit und ist damit die ideale Wahl für Profis und Enthusiasten gleichermaßen. Die PCI Express 4.0 x4 (NVMe)-Schnittstelle sorgt für schnelle Datenübertragungsraten, während der integrierte Kühlkörper das Gerät auch bei starker Beanspruchung kühl hält. Mit Unterstützung für TRIM, Garbage Collection-Technologie und Device Sleep Mode bietet es eine Mischung aus Leistung und Energieeffizienz. Sicherheit ist oberstes Gebot: 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung und TCG Opal Encryption sorgen für ein sicheres Gefühl. Ob Sie nun spielen, an großen Projekten arbeiten oder einfach nur einen zuverlässigen Speicher benötigen, der Samsung 990 PRO ist der Aufgabe gewachsen.
Maße & Material
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
|---|---|
| Komponente für | PC/Spielekonsole |
| NVMe | Ja |
| SSD-Formfaktor | M.2 |
| SSD Speicherkapazität | 4 TB |
| Schnittstelle | PCI Express 4.0 |
| Speichertyp | V-NAND TLC |
Datenblatt
Auf einen Blick
- 4 TB Kapazität erfüllen den Bedarf an großem Speicherplatz
- PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Schnittstelle für Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung
- 2 GB stromsparender DDR4-SDRAM-Cache erhöht die Verarbeitungsgeschwindigkeit
- Unterstützung des Geräte-Ruhezustands für bessere Energieeffizienz
- Integrierter Kühlkörper zur Aufrechterhaltung optimaler Betriebstemperaturen
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Integrierter Kühlkörper
Ja
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, TRIM-Unterstützung, Geräte-Schlafunterstützung, Garbage Collection-Technologie, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Breite
24.3 mm
Tiefe
80 mm
Höhe
8.2 mm
Gewicht
28 g
Leistung
Interner Datendurchsatz
7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1600000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
5.5 Watt (Durchschnitt)
55 mW (Leerlauf)
55 mW (Leerlauf)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Kennzeichnung
IEEE 1667
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
0,5 ms Sinushalbwellen
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g
Produktsicherheit
Hersteller
SAMSUNG
Verantwortliche Person in der EU
Samsung
Am Kronberger Hang 6, 65824 Schwalbach / Ts., DEU
Angabe nach Artikel 16 der Verordnung (EU) 2023/988 über die allgemeine Produktsicherheit.